日本化学会

開催概要

主　催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会　応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協　賛　日本化学会
会　期　1月28日(金) ，29日(土)
開催方式　オンライン

IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産・官・学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」，「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。

募集内容

参加申込締切　1月21日(金)
参加費　応用物理学会会員15,000円，日本化学会会員15,000円，学生およびシニア4,000円，その他20,000円
参加申込方法　Web