日本化学会

開催概要

主　催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会　応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協　賛　日本化学会
会　期　1月22日 (水) ～24日 (金)
開催方式　オンライン・対面併催
会　場　静岡県総合コンベンション施設プラザヴェルデ (沼津市大手町1-1-4) 〔交通〕JR「沼津」駅北口より徒歩3分

• I．チュートリアル講演
  まだまだ奥深いALD (原子層堆積) 技術 (物質・材料研究機構) 生田目俊秀
• II．基調講演
  TBA (東工大) 波多野睦子
  NANDフラッシュメモリの開発経緯及び次世代メモリに期待すること (台湾精華大) 白田理一郎
• III．企画セッション
  "最先端半導体デバイスの開発動向 (仮) "
  ・4件程度の講演を予定
• IV．招待講演
  TBA (SUMCO) 奥山亮輔
  高速メモリ応用を見据えたChannel-All-Around型強誘電体トランジスタの動作実証 (仮) (キオクシア) 株柳翔一
  大規模集積シリコン量子コンピュータに向けたConcatenated Continuous Drivingによるスピン量子ビットの寿命延長技術 (仮) (日立製作所) 久野拓馬
  第一原理量子論で見るシリコンテクノロジー (仮) (名大) 白石賢二
  シリコン酸化膜のためのReaxFF開発と原子レベルプロセス評価 (日本サムスン) 野秋淳一
  CSD法を用いた酸化物薄膜材料及びデバイス応用に関する検討 (仮) (村田製作所) 宮迫毅明
  
  ※予定分は，決定次第随時下記HP，Web広告で更新いたします。

募集内容

参加申込締切　未定
参加費　応用物理学会・日本化学会会員32,000円 (早期21,000円)
参加申込方法　Web