【開催報告】「R&D懇話会239回」半導体パワーデバイスの本命 ワイドバンドギャップ半導体材料のこれから
2024年12月5日
産学交流委員会主催のイベント「R&D懇話会」が、10月11日（金）にオンラインで開催された。
最初に、野崎委員（株式会社ニコン）より開催趣旨についての説明があった。
その後、金澤様（株式会社レゾナック）より、同社におけるパワー半導体事業についてご講演いただいた。パワー半導体というものはそもそもどのようなものであるかという説明から始まり、同社のSiCエピタキシャルウェハー開発の難しさについてお話を伺った。
続いて、お二人目の講師である藤岡教授（東京大学生産技術研究所）より、次世代のパワー素子用半導体材料として注目されている窒化物半導体材料（GaN、AlGaN）についてご講演いただいた。補足事項として、本講演会での短時間での理解は難しいため、今後2024年12月19日（木）と20日（金）に予定されている化学技術基礎講座2024（電子部品・材料の物性化学 ー最先端産業を支える電子・光学材料開発に必須の基礎をマスターしよう）では、より深く理解ができる集中講座を用意しているという説明があった。
最後に、小柳津委員（高分子学会）から当日の講演内容について、企業の実用化に向けた製品開発から大学の基礎研究まで幅広い内容を扱うことができた旨の総括があった。
参加者からは、「基礎から実用化研究までの窒化物半導体の詳細や課題を把握することが出来た」、「最新の状況を把握できた」、「専門外だがわかりやすかった」などの感想が寄せられた。
今後の予定
2024/12/10 第18回技術開発フォーラム：カーボンニュートラル技術の最前線(水素､アンモニア､CO2分離･回収･利用)
2025/01/14「R&D懇話会240回」化学構造リプログラミングによる統合的物質合成科学
2025/02/12「R&D懇話会241回」マテリアルズインフォマティクスの最前線
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（本会事務局・田口）